Los modelos ISL80111, ISL80112 e ISL80113 son LDO de abandono ultra bajo cuyo tamaño está limitado al equilibrio óptimo entre rendimiento, tamaño y consumo de energía para aplicaciones de comunicación de datos, informática, almacenamiento y médicas. Estos LDO se especifican como optimizaciones de corriente de salida y conversión de bajo voltaje de 1A, 2A y 3A. Junto con la operación de un voltio de 1V a 3.6V, y con las desviaciones tradicionales de 3.3V a 5V, V OUT es ajustable de 0.8V a 3.3V. Con un PSRR V superior a 100 kHz de 40 dB hace que estos LDO sean ideales para aplicaciones sensibles al ruido. Precisión garantizada de salida de ±1.6% V, condiciones generales adecuadas para el voltaje preciso de estos componentes, los últimos circuitos integrados digitales de bajo voltaje del proveedor. La entrada de habilitación permite que algunos se coloquen en un modo de apagado de corriente de reposo bajo. Esta serie utiliza procesos CMOS submicrónicos para proporcionar el mejor rendimiento analógico y el valor general típicamente por debajo de la conversión de voltaje de entrada de 2.5V requerida. También cuenta con una regulación transitoria de carga superior con una etapa de potencia NMOS única. Estos LDO presentan un consumo de corriente de reposo significativamente menor que las cargas de LDO bipolares.
Respuesta transitoria de carga muy rápida
Amplias capacidades de protección y generación de informes
Rango de V IN: 1V a 3.6V, V Rango de salida: 0.8V a 3.3V
Paquete pequeño 10 LD 3X3 DFN
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Los modelos ISL80111, ISL80112 e ISL80113 son LDO de abandono ultra bajo cuyo tamaño está limitado al equilibrio óptimo entre rendimiento, tamaño y consumo de energía para aplicaciones de comunicación de datos, informática, almacenamiento y médicas. Estos LDO se especifican como optimizaciones de corriente de salida y conversión de bajo voltaje de 1A, 2A y 3A. Junto con la operación de un voltio de 1V a 3.6V, y con las desviaciones tradicionales de 3.3V a 5V, V OUT es ajustable de 0.8V a 3.3V. Con un PSRR V superior a 100 kHz de 40 dB hace que estos LDO sean ideales para aplicaciones sensibles al ruido. Precisión garantizada de salida de ±1.6% V, condiciones generales adecuadas para el voltaje preciso de estos componentes, los últimos circuitos integrados digitales de bajo voltaje del proveedor. La entrada de habilitación permite que algunos se coloquen en un modo de apagado de corriente de reposo bajo. Esta serie utiliza procesos CMOS submicrónicos para proporcionar el mejor rendimiento analógico y el valor general típicamente por debajo de la conversión de voltaje de entrada de 2.5V requerida. También cuenta con una regulación transitoria de carga superior con una etapa de potencia NMOS única. Estos LDO presentan un consumo de corriente de reposo significativamente menor que las cargas de LDO bipolares.