CMOSå
çµå¾åä¼ æå¨
ä½è
ï¼ç®¡çå æ¥æºï¼æ¬ç« æµè§æ°ï¼651 åå¸æ¶é´ï¼2012/5/2 18:55:44
CMOS(Complementary-Oxide-Semiconductor)å¾åä¼ æå¨åºç°1969å¹´ï¼å®æ¯ä¸ç§ç¨ä¼ ç»çè¯çå·¥èºæ¹æ³å°å
æå
件ï¼æ¾å¤§å¨ï¼A/D转æ¢å¨ï¼æ°åä¿¡å·å¤çå¨å计ç®æºæ¥å£çµè·¯çéæå¨ä¸åç¡
çä¸çå¾åä¼ æå¨ä»¶ï¼è¿ç§å¨ä»¶ç»æç®åï¼å¤çåè½å¤ï¼æåçé«åä»·æ ¼ä½å»ï¼æç广 æ³çåºç¨åæ¯ã
CMOSå¾åä¼ æå¨è½ç¶æ¯CCDåºç°è¿æ©ä¸å¹´ï¼ä½å¨ç¸å½é¿çæ¶é´å
ï¼ç±äºå®åå¨æåè´¨éå·®ï¼åæåå
尺寸å°ï¼å¡«å
çï¼ææåå
ä¸æ»é¢ç§¯ä¹æ¯ï¼ä½ï¼10%-20%ï¼ï¼ååºé度æ
¢ç缺ç¹ï¼å æ¤åªè½ç¨äºå¾åè´¨éè¦æ±è¾ä½ï¼å°ºå¯¸è¾å°çæ°ç ç¸æºä¸ï¼å¦æºå¨äººè§è§åºç¨çåºåãæ©æçCMOSå¨ä»¶é稓被å¨åå
”ï¼æ æºï¼ç»æï¼æ¯ä¸ªåæåå
主è¦ç±ä¸ä¸ªå
æå
å¨ä»¶åä¸ä¸ªåå
寻åå¼å
³ææï¼æ ä¿¡å·æ¾å¤§åå¤ççµè·¯ï¼æ§è½è¾å·®ã1989年以åï¼åºç°äº“主å¨åå
”ï¼ææºï¼ç»æãå®ä¸ä»
æå
æå
件ååå
寻åå¼å
³ï¼èä¸è¿æä¿¡å·æ¾å¤§ï¼æ°æ¨¡è½¬æ¢åæ°åå¤çççµè·¯ï¼æé«äºå
çµçµæ度ï¼åå°äºåªå£°ï¼æ©å¤§äºå¨æèå´ï¼ä½¿å®çä¸äºæ§è½åæ°ä¸CCDå¾åä¼ æå¨æ¥è¿ï¼èå¨åè½ï¼åèï¼å°ºå¯¸åä»·æ ¼çæ¹é¢ä¼äºCCDå¾åä¼ æå¨ï¼æ以åºç¨è¶æ¥è¶å¹¿æ³ã
CMOSå¾åä¼ æå¨ä¸»è¦ç±å
æäºæ管ï¼MOSåºæåºæ¶ä½ç®¡ï¼æ¾å¤§å¨ä¸å¼å
³ççµè·¯ææãå æ¤ï¼é¦å
ä»ç»MOSåºæåºæ¶ä½ç®¡çåºæ¬åçå主è¦æ§è½åæ°ï¼å讲述CMOSå¾åä¼ æå¨çç»æåå·¥ä½åçï¼è®¨è®ºCMOSå¾åä¼ æå¨ç主è¦æ§è½åæ°åå
¶æé«çæ¹æ³ï¼æåä»ç»ä¸äºå
¸åCMOSå¾åä¼ æå¨ä¸å
¸åCMOSæ°ç ç¸æºç产å