| Model |
Manufacturers |
lot number |
encapsulation |
illustrate |
| IRF6724MTRPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MP package rated at 27 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel on |
| IRF6724MTR1PBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MP package rated at 27 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel on |
| IRF6722STRPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MP package rated at 13 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel on |
| IRF6722STR1PBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MP package rated at 13 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel on |
| IRF6722MTRPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MP package rated at 13 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel on |
| IRF6722MTR1PBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MP package rated at 13 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel on |
| IRF6721STRPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Одноканальный N-канальный силовой МОП-транзистор 30 В в корпусе DirectFET SQ с оптимизированной мощностью 14 ампер и низким сопротивлением. Поставляется в виде ленты и катушки на |
| IRF6721STR1PBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Одноканальный N-канальный силовой МОП-транзистор 30 В в корпусе DirectFET SQ с оптимизированной мощностью 14 ампер и низким сопротивлением. Поставляется в виде ленты и катушки на |
| IRF6727MTRPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Одноканальный N-канальный силовой МОП-транзистор 30 В и диод Шоттки в корпусе DirectFET MT, рассчитанный на 32 ампера, оптимизированный с низким сопротивлением. Отправлены |
| IRF6727MTR1PBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Одноканальный N-канальный силовой МОП-транзистор 30 В и диод Шоттки в корпусе DirectFET MT, рассчитанный на 32 ампера, оптимизированный с низким сопротивлением. Отправлены |
| IRF6726MTRPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Одноканальный N-канальный силовой МОП-транзистор 30 В в корпусе DirectFET MX с оптимизированной мощностью 32 ампера и низким сопротивлением. Поставляется в виде ленты и катушки на |
| IRF6726MTR1PBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Одноканальный N-канальный силовой МОП-транзистор 30 В в корпусе DirectFET MX с оптимизированной мощностью 32 ампера и низким сопротивлением. Поставляется в виде ленты и катушки на |
| IRF6725MTRPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Одноканальный N-канальный силовой МОП-транзистор 30 В в корпусе DirectFET MX с оптимизированной мощностью 28 ампер и низким сопротивлением. Поставляется в виде ленты и катушки на |
| ИРФ6725МТР1ПБФ |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Одноканальный N-канальный силовой МОП-транзистор 30 В в корпусе DirectFET MX с оптимизированной мощностью 28 ампер и низким сопротивлением. Поставляется в виде ленты и катушки на |
| IRL7833LPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
HEXFET Power MOSFET |
| IRL8113LPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
HEXFET Power MOSFET |
| IRF3709ZLPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
HEXFET Power MOSFET |
| IRF3709ZCLPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
HEXFET Power MOSFET |
| IRF3707ZLPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
HEXFET Power MOSFET |
| IRF3707ZCLPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
HEXFET Power MOSFET |