| Model |
Manufacturers |
lot number |
encapsulation |
illustrate |
| IRF6720S2TR1PBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET S1 package rated at 11 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel on |
| IRF6724MTRPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MP package rated at 27 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel on |
| IRF6724MTR1PBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MP package rated at 27 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel on |
| IRF6722STRPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MP package rated at 13 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel on |
| IRF6722STR1PBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MP package rated at 13 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel on |
| IRF6722MTRPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MP package rated at 13 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel on |
| IRF6722MTR1PBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MP package rated at 13 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel on |
| IRF6721STRPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 14 Ampere, optimiert mit niedrigem Widerstand. Versand in Tape and Reel on |
| IRF6721STR1PBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 14 Ampere, optimiert mit niedrigem Widerstand. Versand in Tape and Reel on |
| IRF6727MTRPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Ein 30-V-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET und eine Schottky-Diode in einem DirectFET-MT-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand. Verschiffte |
| IRF6727MTR1PBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Ein 30-V-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET und eine Schottky-Diode in einem DirectFET-MT-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand. Verschiffte |
| IRF6726MTRPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
| IRF6726MTR1PBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
| IRF6725MTRPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 28 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
| IRF6725MTR1PBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 28 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
| IRL7833LPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
HEXFET Power MOSFET |
| IRL8113LPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
HEXFET Power MOSFET |
| IRF3709ZLPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
HEXFET Power MOSFET |
| IRF3709ZCLPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
HEXFET Power MOSFET |
| IRF3707ZLPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
HEXFET Power MOSFET |