| Model |
Manufacturers |
lot number |
encapsulation |
illustrate |
| IRF6724MTR1PBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MP package rated at 27 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel on |
| IRF6722STRPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MP package rated at 13 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel on |
| IRF6722STR1PBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MP package rated at 13 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel on |
| IRF6722MTRPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MP package rated at 13 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel on |
| IRF6722MTR1PBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MP package rated at 13 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel on |
| IRF6721STRPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Un MOSFET de potencia HEXFET de canal N único de 30 V en un paquete DirectFET SQ con una potencia nominal de 14 amperios optimizada con baja resistencia. Enviado en cinta y carrete en |
| IRF6721STR1PBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Un MOSFET de potencia HEXFET de canal N único de 30 V en un paquete DirectFET SQ con una potencia nominal de 14 amperios optimizada con baja resistencia. Enviado en cinta y carrete en |
| IRF6727MTRPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Un MOSFET de potencia HEXFET de canal N único de 30 V y un diodo Schottky en un paquete DirectFET MT con una potencia nominal de 32 amperios optimizados con baja resistencia. Enviado |
| IRF6727MTR1PBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Un MOSFET de potencia HEXFET de canal N único de 30 V y un diodo Schottky en un paquete DirectFET MT con una potencia nominal de 32 amperios optimizados con baja resistencia. Enviado |
| IRF6726MTRPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Un MOSFET de potencia HEXFET de canal N único de 30 V en un paquete DirectFET MX con una potencia nominal de 32 amperios optimizado con baja resistencia. Enviado en cinta y carrete en |
| IRF6726MTR1PBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Un MOSFET de potencia HEXFET de canal N único de 30 V en un paquete DirectFET MX con una potencia nominal de 32 amperios optimizado con baja resistencia. Enviado en cinta y carrete en |
| IRF6725MTRPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Un MOSFET de potencia HEXFET de canal N único de 30 V en un paquete DirectFET MX con una potencia nominal de 28 amperios optimizado con baja resistencia. Enviado en cinta y carrete en |
| IRF6725MTR1PBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
Un MOSFET de potencia HEXFET de canal N único de 30 V en un paquete DirectFET MX con una potencia nominal de 28 amperios optimizado con baja resistencia. Enviado en cinta y carrete en |
| IRL7833LPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
HEXFET Power MOSFET |
| IRL8113LPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
HEXFET Power MOSFET |
| IRF3709ZLPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
HEXFET Power MOSFET |
| IRF3709ZCLPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
HEXFET Power MOSFET |
| IRF3707ZLPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
HEXFET Power MOSFET |
| IRF3707ZCLPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
HEXFET Power MOSFET |
| IRL2203NLPBF |
IR |
2010+ |
TO-252 |
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package; Similar to IRL2203NL with Lead Free Packaging |