ISL70040SEHEV3Z

• Product Introduction

概述
ISL70040SEH和ISL73040SEH是低端驱动器，设计用于驱动隔离拓扑和升压型配置的增强型氮化镓（GaN）FET。ISL70040SEH采用4.5V至13.2V的电源电压工作，具有反相（INB）和同相（IN）输入，可满足单个器件的反相和同相栅极驱动器的要求。

ISL70040SEH和ISL73040SEH具有4.5V栅极驱动电压（V DRV ），使用内部稳压器产生，可防止栅极电压超过增强型GaN FET的最大栅极 - 源极额定值。栅极驱动电压还具有欠压锁定（UVLO）保护，忽略输入（IN / INB）并保持OUTL导通，以确保每当V DRV时GaN FET处于关断状态 低于UVLO阈值。

无论V DD 电压如何，ISL70040SEH和ISL73040SEH输入均可承受高达14.7V的电压。这允许ISL70040SEH和ISL73040SEH输入直接连接到大多数PWM控制器。ISL70040SEH和ISL73040SEH分离输出可通过为开启/关闭路径增加额外的阻抗，灵活地独立调整开启和关闭速度。

ISL70040SEH和ISL73040SEH可在-55°C至+ 125°C的军用温度范围内工作，采用8 Ld密封陶瓷表面贴装器件（SMD）封装或裸片形式。 
主要特点
宽工作电压范围为4.5V至13.2V 高达14.7V的逻辑输入（无论V DD电平如何）反相和非反相输入 优化驱动增强型GaN FET内部4.5V稳压栅极驱动电压独立输出，可调节开启/关闭速度 全军用温度范围操作T A = -55°C至+ 125°CT J = -55°C至+ 150°C辐射硬度保证（逐个晶圆）高剂量率（HDR）（50-300rad（Si）/ s）：100krad（Si）（仅限ISL70040SEH）低剂量率（LDR）（0.01rad（Si）/ s）：75krad（Si） SEE硬度（详情请参阅ISL70040SEH，ISL73040SEH SEE报告）无SEB / L LET TH，V DD = 14.7V：86MeV•cm 2 / mg无SET，LET TH，V DD = 13.2V：86MeV•cm 2 / mg