LM5110-1MX

• Drive two N-channel MOSFETs independently
• Composite CMOS and bipolar outputs reduce output current variation
• 5A sink/3A source current capability
• 两个通道可并行连接的驱动电流提高一倍
• （TTL兼容）独立的输入
• Fast propagation time (25 ns typical)
• Fast rise and fall times (14 ns/12 ns rise/2 nF load drop)
• 专用输入地引脚（IN_REF）的分离电源或单电源供电
• The output swings from V_CCto V_EENegative phase can be entered to ground
• 可用双非反相，反相和双组合配置
• 关断输入提供了低功耗模式
• Supply of railway undervoltage lockout protection
• 针脚兼容行业标准的栅极驱动器

illustrate

该LM5110双门驱动器替换提高峰值输出电流和效率的行业标准栅极驱动器。 每一个“复合型”输出驱动阶段包括MOS和双极型晶体管并联运行，连同沉从电容负载超过5A的峰值多。 Combines the uniqueness of MOS and bipolar devices to reduce drive current, voltage, and temperature variations. 独立的输入和输出地引脚提供负驱动能力允许用户驱动正面和负面的VGS电压MOSFET栅极。 栅极驱动器控制输入引用到专用输入地（IN_REF）。 The gate driver output swings from V_CCto V_EE的输出地，可与有关IN_REF负。 能够同负电压VGS MOSFET闸关闭减少损失行驶时的低阈值电压的MOSFET同步整流器经常被使用。 与传统的正面只有当栅极电压驱动，在IN_REF和V_EE引脚连接在一起，并引用到一个共同点。 欠压锁定保护和关断输入引脚还提供。 司机可以操作与输入，并连接到双驱动电流能力输出并行。 该装置可在SOIC - 8和热增强型LLP - 10封装。

apply

• Synchronous rectifier gate driver
• 开关模式电源栅极驱动器
• Solenoid valves and motor drives
• Power level translators