LM5112Q1SD

• Compound CMOS and bipolar outputs reduce output current variation
• 7A بالوعة / 3A مصدر التيار
• وقت انتشار سريع (25 نانوثانية بشكل نموذجي)
• أوقات الارتفاع والهبوط السريع (14 نانوثانية / 12 نانوثانية ارتفاع / انخفاض 2 nF حمل)
• Inverting and non-inverting inputs provide a single device or configuration
• Power rails with undervoltage lockout protection
• أرضية إدخال مخصصة للتشغيل المقسم أو أحادي الإمداد (IN_REF)
• Power enhanced 6-pin LLP package (3.0 mm x 3.0 mm) or heat-enhanced MSOP8-EP package
• The output swings from V_CCto V_EENegative phase can be entered to ground

illustrate

يتوفر برنامج تشغيل البوابة LM5112 MOSFET في حزمة LLP-6 صغيرة مع تيار محرك بوابة عالي الذروة (بصمة مكافئة لحزمة SOT23) أو حزمة MSOP ذات 8 سنون لزيادة الطاقة واستهلاك الطاقة المطلوب للتشغيل عالي التردد. The composite output drive stage consists of the MOS and bipolar transistors running in parallel, sinking together above the capacitive load 7A peak. The unique feature of the combination of MOS and bipolar devices reduces current variations in drive voltage and temperature. Undervoltage lockout protection to prevent damage to the MOSFET's gate with insufficient opening voltage. The LM5112 provides inverting and non-inverting inputs to meet the gate drive requirements of both inverting and non-inverting with a single device type.