| Model |
Manufacturers |
lot number |
encapsulation |
illustrate |
| HUFA76413DK8T |
FAIRCHILD |
2010+ |
SOP-8 |
N-channel logic level UltraFET power MOSFET 60V of 4.8A, 56mз |
| FDS9945 |
FAIRCHILD |
2010+ |
SOP-8 |
60V N-Channel PowerTrench MOSFET; Package: SO-8; No of Pins: 8; Container: Tape & Reel |
| FDMS2572 |
FAIRCHILD |
2010+ |
QFN-56 |
N-Channel UltraFET Trench (iii) MOSFET 150V, 27A, 47mз |
| SFP9540 |
FAIRCHILD |
2010+ |
TO-220 |
P-Channel Power MOSFET (P-Channel Power MOS FET with drain-to-source voltage of -100V) |
| RFP70N06 |
FAIRCHILD |
2010+ |
TO-220 |
70A, 60V, 0.014 Ohm, MOSFET de potencia de canal N; Paquete: TO-220; Nº de Pines: 3; Contenedor: Ferrocarril |
| RFD16N05LSM |
FAIRCHILD |
2010+ |
TO-252 |
16A, 50V, 0.047 Ohm, nivel lógico, MOSFET de potencia de canal N (16A, 50V, 0.047 Ω FET MOS de potencia de canal N) |
| RFD14N05LSM9A |
FAIRCHILD |
2010+ |
TO-252 |
MOSFET de potencia de canal N de 14A, 50 V, 0,100 ohmios, nivel lógico, canal N (14A, 50 V, 0,100 Ω, FET de MOS de potencia de canal N de nivel lógico) |
| RFD14N05LSM |
FAIRCHILD |
2010+ |
TO-252 |
MOSFET de potencia de canal N de 14A, 50 V, 0,100 ohmios, nivel lógico, canal N (14A, 50 V, 0,100 Ω, FET de MOS de potencia de canal N de nivel lógico) |
| RFD14N05L |
FAIRCHILD |
2010+ |
TO-251 |
MOSFET de potencia de canal N de 14A, 50 V, 0,100 ohmios, nivel lógico, canal N (14A, 50 V, 0,100 Ω, FET de MOS de potencia de canal N de nivel lógico) |
| NDT451AN |
FAIRCHILD |
2010+ |
SOT-223 |
Transistor de efecto de campo del modo de mejora del canal N (7.2A, 30V, 0.035Ω) (FET mejorado del canal N (corriente de fuga 7.2A, voltaje de fuente de drenaje 30V, resistencia de encendido 0.035Ω)) |
| NDS356AP |
FAIRCHILD |
2010+ |
SOT-23-3 |
Transistor de efecto de campo del modo de mejora de nivel lógico del canal P (-1.1A, -30V, 0.3Ω) (MOS FET de mejora lógica del canal P (CORRIENTE DE FUGA -1.1A, voltaje de drenaje a fuente-30V, resistencia de encendido 0.3Ω)) |
| NDS355AN |
FAIRCHILD |
2010+ |
SOT-23-3 |
Transistor de efecto de campo del modo de mejora de nivel lógico de canal N (1.7A, 30V, 0.125Ω) (MOS FET mejorado de lógica de canal N (corriente de fuga 1.7A, voltaje de fuente de drenaje 30V, resistencia de encendido 0.125Ω)) |
| NDS352AP |
FAIRCHILD |
2010+ |
SOT-23-3 |
Transistor de efecto de campo del modo de mejora de nivel lógico del canal P (-0.9A, -30V, 0.5Ω) (MOS FET de mejora lógica del canal P (CORRIENTE DE FUGA -0.9A, voltaje de drenaje a fuente-30V, resistencia de encendido 0.5Ω)) |
| FDN5630_NL |
FAIRCHILD |
2010+ |
SOT-23 |
MOSFET PowerTrench de 60V N-Channel; Paquete: SuperSOT; Nº de Pines: 3; Contenedor: Cinta y carrete |
| MTP3055VL |
FAIRCHILD |
2010+ |
TO-220 |
N沟道增强模式的逻辑电平场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor; Package: TO-220AB; No of Pins: 3; Container: Rail |
| HUF76407D3ST |
FAIRCHILD |
2010+ |
TO-252 |
11A,60V, 0.107 Ohm, N-Channe, Logic Level UltraFET Power MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel |
| HUF75882G3 |
FAIRCHILD |
2010+ |
TO-220 |
75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET (75A, 100V, 0.008Ω N-Channel Logic Level Power MOS FET) |
| HUF75653G3 |
FAIRCHILD |
2010+ |
TO-220 |
75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET (75A, 100V, 0.008Ω N-Channel Logic Level Power MOS FET) |
| HUF75545P3 |
FAIRCHILD |
2010+ |
TO-220 |
75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET (75A, 80V, 0.010Ω N-channel logic level power MOS FET |
| HUF75339S3ST |
FAIRCHILD |
2010+ |
TO-263 |
Power FET |