产品型号 产品名称 批号 厂商 封装 数量  
IRF634SPBF N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）) 10+ IR TO-263 删除

您的姓名：
公司名称：
地址：
电话：
电子邮件：
邮编：
备注：

  继续选择

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICP备14056028号

Related Links

wirewound resistor rectangular connector contacts crimping pliers term block hdr insulated terminals bus plug needle pusher cement resistance circular connectors ph connector