传英特尔第一代64层QLC闪存良率只有48%

本月初Intel发布了首款消费级QLC固态硬盘——660p，采用全新的主控制器及64层堆叠的QLC NAND颗粒，不过近日有消息称，目前第一代64层QLC闪存的良率只有48%。

Intel“SSD 660p”的定位将介乎在600p及700p之间，采用全新的主控制器及64层堆叠的QLC NAND颗粒，提供512 GB，1 TB，2 TB容量可供选择。SSD 660p专用PCI Express 3.0 x4而设计，采用M.2 2280规格，读取传输速度高达1800 MB / s，写入的传输速度为1100 MB / s，4k随机读取和写入为150,000 IOPS。

660P搭载了慧荣SMI2263主控，带有DRAM缓存，主控是慧荣SMI2262EN的工艺改良版，并且由Intel自主编写固件。采用来自Intel和美光合资的IMFlash工厂的4bit QLC闪存。

Intel 660P采用M.2 NVMe接口，支持PCIe 3.0 x4通道，Intel官方给出的数据显示，性能上达到主流M.2 NVMe的水准，最高连续读写速度可达1800MB/ s。

同时，价格相当给力，512GB卖99.99美元(约合683元)。

与TLC相比，QLC NAND Flash的储存容量将可增加33%，单颗晶片最高可达到256GB或512GB，P / E循环约为1000次左右略低于TLC，在寿命，速度及稳定性方面QLC虽然比TLC更低，但就胜在容量更大及拥有更便宜的成本。

不过有消息称，目前第一代64层QLC闪存的良率只有48%，也就是生产出来的成片过半报废。对比之下，64层TLC闪存的良率已经达到了90%以上。

这意味着，4bit QLC看似容量密度提高了，但实际成本是高于3bit TLC的。

更糟糕的是，消息人士称，Intel第一代QLC闪存糟糕的良率将伴随整个生命期。

此外英特尔还准备了SSD 760p系列，M.2 2280规格，64层TLC NAND闪存，提供128GB，256GB，512GB，1TB，2TB容量，性能更高一个档次，持续读写可达3.2GB / s， 1.6GB / s，随机读写可达35万IOPS，28万IOPS，并支持AES-256硬件加密，5年产品保固。其中128GB至1TB今年12月份发布。

英特尔和美光除了推出64层QLC提高技术优势，还曾表示第三代3D NAND技术（96层）的开发将于2018年年底或2019年初交付。